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IXDN414PI

浏览次数:279次

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IXDN414PI中文资料规格参数

IXDN414PI概述

制造商: IXYS
类型: Low Side
上升时间: 27 ns
下降时间: 25 ns
电源电压(最大值): 35 V
电源电压(最小值): 4.5 V
电源电流: 3 mA
最大功率耗散: 833 mW
最大工作温度: + 125 C
最小工作温度: - 55 C
封装 / 箱体: PDIP-8
封装: Tube
最大关闭延迟时间: 34 ns
最大开启延迟时间: 33 ns
安装风格: Through Hole
激励器数量: 1
输出端数量: 1
输出电流: 14 A (Typ)

IXDN414PI数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
14 Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers14安培低端超快MOSFET驱动器
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
300
IXYS/艾赛斯
1120+
DIP-8
翻新
10
IXYS/艾赛斯
11+
DIP8
现货库存 价格优势
1520
IXYS/艾赛斯
18+
DIP8
公司现货,询价发Q,58箱
深圳
300
IXYS/艾赛斯
12+
DIP8
优势
10
IXYS/艾赛斯
11+
DIP8
现货库存价格优势

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