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IXDN55N120D1

浏览次数:537次

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IXDN55N120D1中文资料规格参数

IXDN55N120D1概述

制造商: IXYS
封装 / 箱体: SOT-227B
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.3 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 100 A
封装: Tube
配置: Single Dual Emitter
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 40 C

IXDN55N120D1数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
IXYS
PDF
High Voltage IGBT with optional Diode高电压IGBT与二极管可选
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
230
IXYS/艾赛斯
15+
优势产品金华星电子
146
IXYS/艾赛斯
21+
质好价优现货专业
1000
IXYS/艾赛斯
2020
SOT-227
原装/拆机/翻新深圳汕头现货库存
深圳
1000
IXYS/艾赛斯
25+
只做原装.支持实单.现货直销
杭州
2000
IXYS/艾赛斯
2020+
MODULE
专营模块现货价优
深圳

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供应商 型号 品牌 批号 封装 交易说明
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