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IXDR35N60BD1

浏览次数:288次

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IXDR35N60BD1中文资料规格参数

IXDR35N60BD1概述

晶体管类型:NPT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:70ns
下降时间:70ns
功耗:125W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:38A
热阻, 结至外壳 A:1°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)

IXDR35N60BD1数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
IXYS
PDF
IGBT with optional DiodeIGBT与二极管可选
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
21368
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247MAX
专业三极管全系列价格优惠
汕头
13819
IXYS/艾赛斯
22+
ISOPLUS247
房间现货,价格优势
深圳
86666
IXYS/艾赛斯
24+
MAX247
■现货大量发货■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
深圳
1980
IXYS/艾赛斯
21+
TO-247
散新原字原脚
32189
IXYS/艾赛斯
23+
PLUS247
散新原字脚测试好包上机,量大发货
深圳

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