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IXDS430SI

浏览次数:241次

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IXDS430SI中文资料规格参数

IXDS430SI概述

制造商: IXYS
类型: Low Side
上升时间: 20 ns
下降时间: 18 ns
传播延迟时间: 45 ns
电源电压(最大值): 35 V
电源电压(最小值): 8.5 V
电源电流: 3 mA
最大工作温度: + 125 C
最小工作温度: - 55 C
封装 / 箱体: SOIC-28
封装: Box
最大关闭延迟时间: 39 ns
最大开启延迟时间: 45 ns
安装风格: SMD/SMT
激励器数量: 1
输出端数量: 1
输出电流: 30 A (Typ)

IXDS430SI数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver30安培低端超快MOSFET / IGBT驱动器
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
1
IXYS/艾赛斯
04+
28DIP
原装现货样品便宜清仓
100
IXYS/艾赛斯
23+
SOP28
测试好,包上机
4411
IXYS/艾赛斯
24+25+
SOP28
New-Original-Stock
台北

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