晶体管极性:N
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.105ohm
封装类型:ISOPLUS-247
N沟道栅极电荷 Qg:200nC
功率, Pd:360W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电容值, Ciss 典型值:12000pF
电流, Id 连续:36A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
隔离电压:2500V
时间, trr 最大:200ns
热阻 Rth:0.35