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IXTN90P20P

浏览次数:262次

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IXTN90P20P中文资料规格参数

IXTN90P20P概述

类别:半导体模块
家庭:MOSFETs
系列:PolarP™
FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:44 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:90A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:205nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :12000pF @ 25V
功率 - 最大:890W
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227, miniBLOC
包装:管件
供应商设备封装:*
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
1290
IXYS/艾赛斯
19+
MODULE
质量好价格低
1000
IXYS/LITTELFUSE艾赛斯
25+
只做原装.支持实单.现货直销
杭州
426
IXYS/艾赛斯
22+
找IC_上ICG.NET.CN
3000
ISC/无锡固电
25+
ISOTOPSOT-227
厂家现货直销,替代原装
无锡
9000
IXYS/艾赛斯
2022
TO-227B
全新现货

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