*三星NandFlash
*MLC架构
*容量8Gbit，即1GByte
*I/O端口为8bit
*工作电压：2.7～3.6V
*结构
存储器单元列：（1G+32M）bit X 8bit
数据寄存器：（2K+64）bit X 8bit
*自动编程和擦除
页编程：（2K+64）byte
模块擦除：（256K+8K）byte
*页读取操作
页大小：（2K+64）byte
随机读取：60us（最大值）
串行访问：30ns（最小值）
*存储器单元：2bit/存储单元
*快速写周期时间
编程时间：800us（典型值）
块擦除时间：1.5ms（典型值）
*指令/地址/数据多重I/O口
*硬件数据保护
上电过程中编程/擦除功能闭锁
*可靠的CMOS浮闸门技术
耐力：5K编程/擦除周期（带4bit/512byte ECC）
数据保留时间：10年
*命令寄存器操作
*唯一的ID提供版权保护
*封装：TSOP-48,ULGA-52