KSK596PCWD概述
类别:分离式半导体产品
家庭:JFET(结点场效应
系列:-
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):100µA @ 5V
漏极至源极电压(Vdss):-
漏极电流 (Id) - 最大:1mA
FET 型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):20V
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:600mV @ 1µA
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :3.5pF @ 5V
电阻 - RDS(开):-
安装类型:通孔
包装:散装
封装/外壳:TO-92-3(短主体)
功率 - 最大:100mW
供应商设备封装:*