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L6387E

浏览次数:359次

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L6387E中文资料规格参数

L6387E概述

制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET 及电源驱动器 IC
产品: Half-Bridge Drivers
类型: High and Low Side
上升时间: 50 ns (Typ)
下降时间: 30 ns (Typ)
传播延迟时间: 110 ns (Typ)
电源电压(最大值): 17 V
最大功率耗散: 750 mW
最大工作温度: + 125 C
最小工作温度: - 45 C
封装 / 箱体: PDIP-8
封装: Tube
最大关闭延迟时间: 105 ns (Typ)
最大开启延迟时间: 110 ns (Typ)
安装风格: Through Hole
激励器数量: 2
输出端数量: 2
输出电流: 0.65 A

L6387E数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
STMICROELECTRONICS
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
60000
ST/意法
17+
原装正品量大订货
5990
ST/意法
1441+
DIP-8
进口原装现货假一赔百支持实单
997
ST/意法
09+
DIP-8
原装正品
深圳
44
ST/意法
07+
DIP8
原装现货
30
ST/意法
1442+
DIP8
原装门市现货仓库有批量
深圳

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供应商 型号 品牌 批号 封装 交易说明
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