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MJD112G

浏览次数:239次

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MJD112G中文资料规格参数

MJD112G概述

制造商: ON Semiconductor
产品种类: 达林顿晶体管
配置: Single
晶体管极性: NPN
封装 / 箱体: TO-252-3 (DPAK)
集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 100 V
峰值直流集电极电流: 2 A
最大集电极截止电流: 20 uA
功率耗散: 20 W
最大工作温度: + 150 C
最小工作温度: - 65 C
封装: Tube
集电极连续电流: 2 A
直流电流增益 hFE 最小值: 200 @ 4 A @ 3 V or 500 @ 500m A @ 3 V or 1000 @ 2 A @ 3 V
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
1000
中性
24+
TO-252
全新台产现货库存不止网上数量有单可谈价好
汕头
1000
ONSEMI/安森美
10+
TO252
22500
ONSEMI/安森美
23+
TO-252
只做自家库存/包上机 价格优势欢迎来电咨询
6423
ONSEMI/安森美
24+
TO252
全新原装
888891
ON/台产/中性
25+
DPAK-3
高品质,价格优势
深圳

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