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MJD200G

浏览次数:223次

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MJD200G中文资料规格参数

MJD200G概述

类型:NPN
集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):25
集电极最大电流IC(Max)(A):5
直流电流增益hFE最小值(dB):45
直流电流增益hFE最大值(dB):180
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):65
总功耗PD(W):12.500
封装/温度(℃):3DPAK/-65~150

MJD200G数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
ON Semiconductor
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
15000
ONSEMI/安森美
22+
TO-252
台产原装长期供货
深圳
31288
ONSEMI/安森美
23+
DPAK
只做自家库存/包上机 价格优势欢迎来电咨询
6985
ONSEMI/安森美
2024+
TO252
全新原装现货
888891
ON/台产/中性
25+
DPAK-3
高品质,价格优势
深圳
360000
ONSEMI/安森美
23+
TO-252-3
专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低
深圳

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