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MJD31CRLG

浏览次数:275次

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MJD31CRLG中文资料规格参数

MJD31CRLG概述

类型:NPN
集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100
集电极最大电流IC(Max)(A):3
直流电流增益hFE最小值(dB):10
直流电流增益hFE最大值(dB):50
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):3
总功耗PD(W):15
封装/温度(℃):DPAK/-65~150

MJD31CRLG数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
ON Semiconductor
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
15000
ONSEMI/安森美
22+
DPAK
台产原装全系列MOS管可控硅肖特基可出特供
深圳
31288
ONSEMI/安森美
23+
DPAK
只做自家库存/包上机 价格优势欢迎来电咨询
888891
ON/台产/中性
25+
DPAK-3
高品质,价格优势
深圳
1800
ONN/欧恩
27000
ONSEMI/安森美
25+
N/A
原装正品支持检测
深圳

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