类别：分离式半导体产品
家庭：JFET（结点场效应
系列：-
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：2mA @ 15V
漏极至源极电压(Vdss)：-
漏极电流 (Id) - 最大：-
FET 型：P 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30V
电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：1V @ 10nA
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
电阻 - RDS（开）：250 欧姆
安装类型：表面贴装
包装：带卷 (TR)
封装/外壳：SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
功率 - 最大：225mW
供应商设备封装：*