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MMSF3P02HDR2G

浏览次数:263次

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MMSF3P02HDR2G最新采购批发价格

型号 品牌 参考价格
VBSEMI/微碧半导体
¥0.83

MMSF3P02HDR2G中文资料规格参数

MMSF3P02HDR2G概述

源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):95
最大漏极电流Id(on)(A):5.600
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SO-8/-55~150
描述:3A,20V,SO-8,P沟道功率MOSFET

MMSF3P02HDR2G数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
ON Semiconductor
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
45000
ONSEMI/安森美
20+
SOP-8
优势订货长期可供应
深圳
199
ONSEMI/安森美
1205+
SOP-8
房间现货全新原装
45612
ONSEMI/安森美
21+
SOP8
1全新国产-长期供应-ISCP现货补充
45000
ONSEMI/安森美
23+
SOP-8
原装现货实单TP可谈
深圳
41
ONSEMI/安森美
11+
SOP-8
房间现货特价热卖有单详谈
深圳

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