类别：分离式半导体产品
家庭：RF 晶体管 (BJT)
系列：-
晶体管类型：NPN
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：18V
频率 - 转换：5GHz
噪声系数（dB典型值@频率）：3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
增益：13dB ~ 15.5dB
功率 - 最大：2.5W
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：50 @ 50mA, 5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200mA
安装类型：表面贴装
封装/外壳：微型-X 陶瓷 84C
包装：散装
供应商设备封装：Micro-X 陶瓷 (84C)
其它名称：MRF581MIMRF581MI-ND