晶体管极性:P沟道
漏极电流, Id 最大值:1.1A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.3ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-1.6V
功耗:0.5W
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SMD标号:NDS356AP
功率, Pd:0.5W
外宽:3.05mm
外部深度:2.5mm
外部长度/高度:1.12mm
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-30V
电流, Id 连续:1.1A
电流, Idm 脉冲:10A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-2V
阈值电压, Vgs th 最高:-2.5V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)