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NGB8206NTF4G

浏览次数:144次

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NGB8206NTF4G中文资料规格参数

NGB8206NTF4G概述

制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-263-3
集电极—发射极最大电压 VCEO: 390 V
栅极/发射极最大电压: 15 V
集电极最大连续电流 Ic: 20 A
封装: Reel
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
最小工作温度: - 55 C
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
23680
INFINEON/英飞凌
19+
TO-263
现货专业经营三极管全系列
2168
ONSEMI/安森美
08+
TO-263
原码测试好包上机
875
ONSEMI/安森美
08+PB
TO263
深圳原装现货
深圳
52388
ONSEMI/安森美
23+
TO263
诚信之家//产品一律保上机且长期供应
100000
ONSEMI/安森美
三极管

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