类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列：-
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）：1K
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：1K
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：3 @ 5mA, 10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 5mA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大）：500nA
频率 - 转换：-
功率 - 最大：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563, SOT-6
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：SOT-563
其它名称：NSBA113EDXV6T1OS