类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 阵列
系列：-
晶体管类型：2 NPN（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：115mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止（最大）：-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：180 @ 1A, 2V
功率 - 最大：653mW
频率 - 转换：100MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽）
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：8-SOIC (窄型)