类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 阵列
系列：-
晶体管类型：2 PNP（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止（最大）：-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 10mA, 1V
功率 - 最大：500mW
频率 - 转换：250MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563, SOT-6
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：SOT-563
其它名称：NST3906DXV6T1GOSNST3906DXV6T1GOS-NDNST3906DXV6T1GOSTR