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NST3906F3T5G

浏览次数:163次

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NST3906F3T5G中文资料规格参数

NST3906F3T5G概述

类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 10mA, 1V
功率 - 最大:290mW
频率 - 转换:250MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-1123
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:SOT-1123

NST3906F3T5G数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
ON Semiconductor
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
547
ONSEMI/安森美
1118
武汉力源深圳专卖店只做原装正品 欢迎来电!
48000
ONSEMI/安森美
2024+
SOT-1123-2
原厂与现货的搬运工支持排单订货
深圳
10000
ONSEMI/安森美
24+
N/A
只做原装
40000
ONSEMI/安森美
23+24+
N/A
保证原装/渠道库存需确认
1200000
ONSEMI/安森美
2310+
SOT1123
原盘原标进口公司现货
深圳

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