源漏极间雪崩电压VBR(V):30(min)
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):2000
最大漏极电流Id(on)(A):0.154
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SC-75/-55 ~150
描述:小信号N沟道230 V, 154 mA, MOSFET 带ESD保护

• 额定电压(DC)：30.0 V

• 额定电流：154 mA

• 通道数：1

• 针脚数：3

• 漏源极电阻：7 Ω

• 极性：N-Channel

• 耗散功率：300 mW

• 阈值电压：1 V

• 输入电容：11.5 pF

• 漏源极电压(Vds)：30 V

• 漏源击穿电压：30 V

• 栅源击穿电压：±10.0 V

• 连续漏极电流(Ids)：154 mA

• 上升时间：15 ns

• 输入电容(Ciss)：20pF @5V(Vds)

• 额定功率(Max)：300 mW

• 下降时间：60 ns

• 工作温度(Max)：150 ℃

• 工作温度(Min)：-55 ℃

• 耗散功率(Max)：300 mW

• 安装方式：Surface Mount

• 引脚数：3

• 长度：1.65 mm

• 宽度：0.9 mm

• 高度：0.8 mm

• 封装：SC-75-3

• 适用于快速开关的低栅极电荷

• 小尺寸1.6x1.6mm毫米

• ESD保护栅极

• NV前缀，适用于要求独特的位置和控制变化要求的汽车和其他应用；AEC-Q101合格且支持PPA

• P这些设备无铅且符合RoHS标准