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NTB30N06

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源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):38
最大漏极电流Id(on)(A):30
通道极性:－
封装/温度(℃):D2PAK/-55~175
描述:30A,60V逻辑电平的功率MOSFET

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供应商	数量	厂商	批号	封装	交易说明	仓库
深圳市中盈通顺科技有限公司	77	ONSEMI/安森美			现货保证原装假一赔百
深圳市矽灵斯电子有限公司	713	ONSEMI/安森美	21+20+19+		全新进口原装一周货期	香港
深圳中芯力量电子有限公司	89722	ONSEMI/安森美	24+	-	高端品质-替代进口-支持定制-媲美进口品牌	深圳
深圳市万士优科技有限公司	15000	ONSEMI/安森美	20+	SOT-263	全新原装
深圳市远大金宁电子有限公司	24190	ONSEMI/安森美	12+	SOT-263	原装正品专业直销

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