源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):72
最大漏极电流Id(on)(A):25
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:-25 A, -30 V功率MOSFET