类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
系列：-
FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：80 毫欧 @ 2.9A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.9A, 3.2A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：2.3nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：165pF @ 10V
功率 - 最大：1.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-ChipFET™
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：ChipFET