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NTJD2152PT2G

浏览次数:131次

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NTJD2152PT2G中文资料规格参数

NTJD2152PT2G概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFETs - 阵列
系列:-
FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:300 毫欧 @ 570mA, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:775mA
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:4nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :225pF @ 8V
功率 - 最大:270mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70-6,SC-88,SOT-363
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:SOT-363
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
73817
ONSEMI/安森美
2405+
SOT-363
原装现货,可出样品,可送货上门,可供更多
深圳
15000
ONSEMI/安森美
2024+PB
SOT-363
大量供货
深圳
45000
ONSEMI/安森美
14+
SC-88SC70-6SOT-363
11月份更新现货库存可长期供应
深圳
6000
ONSEMI/安森美
23+
SOT
现货原装正品实单可谈
深圳
120000
ONSEMI/安森美
2019+
SOT-363
优势价格
深圳

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