源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1500
最大漏极电流Id(on)(A):0.250
通道极性:N
封装/温度(℃):SC88-6/-55~150
描述:30V,0.25A,N沟道双MOSFET