源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):375
最大漏极电流Id(on)(A):0.630
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-363/-55 ~150
描述:小信号20 V,双N沟道 MOSFET