类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
系列：-
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.6 欧姆 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：295mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：0.9nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：26pF @ 20V
功率 - 最大：250mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-70-6，SC-88，SOT-363
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：SOT-363

• 针脚数：6

• 漏源极电阻：1 Ω

• 极性：Dual N-Channel

• 耗散功率：266 mW

• 阈值电压：1.7 V

• 漏源极电压(Vds)：60 V

• 连续漏极电流(Ids)：330 mA, 295 mA

• 上升时间：34 ns

• 正向电压(Max)：1.2 V

• 输入电容(Ciss)：26pF @20V(Vds)

• 额定功率(Max)：250 mW

• 下降时间：32 ns

• 工作温度(Max)：150 ℃

• 工作温度(Min)：-55 ℃

• 耗散功率(Max)：266 mW

• 安装方式：Surface Mount

• 引脚数：6

• 封装：SOT-363

• 长度：2.2 mm

• 宽度：1.35 mm

• 高度：1 mm

• 低RDS(开)

• 低栅极阈值

• 低输入电容

• ESD保护栅极

• NV前缀，适用于要求独特位置和控制变化要求的汽车和其他应用；AEC-Q101合格并支持PPAP

• 这是一款无铅设备