源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60
最大漏极电流Id(on)(A):4
通道极性:N
封装/温度(℃):SC88-6/-55~150
描述:20V,4A,N沟道Trench MOSFET