在ON Semiconductor的帮助下，放大电子信号并在它们之间切换；NTLJS4114NT1G功率MOSFET。其最大功耗为1920 mW。为了确保安全交付，并允许在交付后快速安装此组件，装运期间将其封装在胶带和卷筒包装中。这种N沟道MOSFET晶体管以增强模式工作。该MOSFET晶体管的最低工作温度为-55°C，最高工作温度为150°C。

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25℃：35 毫欧 @ 2A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25℃：3.6A
闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：650pF @ 15V
功率 - 最大：700mW

无卤素状态：Halogen Free

通道数：1

针脚数：6

漏源极电阻：0.0203 Ω

极性：N-Channel

耗散功率：3.3 W

阈值电压：550 mV

漏源极电压(Vds)：30 V

漏源击穿电压：30 V

栅源击穿电压：±12.0 V

连续漏极电流(Ids)：7.80 A

上升时间：9 ns

输入电容(Ciss)：650pF @15V(Vds)

额定功率(Max)：700 mW

下降时间：4 ns

工作温度(Max)：150 ℃

工作温度(Min)：-55 ℃

耗散功率(Max)：700mW (Ta)

引脚数：6

长度：2 mm

宽度：2 mm

高度：0.75 mm

工作温度：-55℃ ~ 150℃ (TJ)

安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-VDFN
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：6-TDFN
其它名称：NTLJS4114NT1G-NDNTLJS4114NT1GOSTR

• WDFN封装提供外露排水垫，以实现良好的热传导

• 2x2 mm占地面积，与SC相同?88

• 2x2 mm封装中最低RDS（打开）

• 1.8 V RDS（开）额定值，用于低压逻辑电平门驱动器操作
  

• 薄型（<0.8 mm），便于在薄环境中安装

• 这是Pb?免费设备