源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3.600
最大漏极电流Id(on)(A):94
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DFN6/-55 ~150
描述:30 V, 94 A,功率MOSFET