源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9.500
最大漏极电流Id(on)(A):12.300
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150
描述:30 V, 12.3 A, 功率MOSFET