NTP13N10G中文资料PDF_NTP13N10G芯片概述/特性/原理及引脚图等信息 -

NTP13N10G

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NTP13N10G	JSMSEMI/杰盛微	￥0.99

NTP13N10G中文资料规格参数

NTP13N10G概述

源漏极间雪崩电压VBR(V):100
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):165
最大漏极电流Id(on)(A):13
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150
描述:13 A, 100 V功率MOSFET

NTP13N10G推荐供应商

供应商	数量	厂商	批号	封装	交易说明	仓库
深圳市宏昇泰电子有限公司	3948	ONSEMI/安森美	16+	TO-220	进口原装现货供应市场最优价格假一赔十	深圳
深圳市煜荣伟业科技有限公司	24750	ONSEMI/安森美	22+	TO220AB	现货///实单可谈
深圳市星光盛科技有限公司	15000	ONSEMI/安森美	22+	TO-220	台产原装主营MOS管可控硅肖特基全系列	深圳
深圳市雅贝轩科技有限公司	35400	ONSEMI/安森美	22+	TO-220	友达半导体原装正品可长久供应
深圳市森桂电子有限公司	32121	ONSEMI/安森美	23+	TO-220	全新台产可提供更多数量	深圳

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供应商	型号	品牌	批号	封装	交易说明

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