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首页> IC百科 > NTP4302G

NTP4302G

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NTP4302G中文资料规格参数

NTP4302G概述

源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9.300
最大漏极电流Id(on)(A):74
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150
描述:74 A, 30 V功率MOSFET

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供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
深圳市福田区德利志电子商行
5000
ONSEMI/安森美
2021
TO-220
深圳市弘民电子有限公司
20001
ONSEMI/安森美
19+
TO-220
原装现货
深圳市尚想信息技术有限公司
3000
3000
23+
深圳市宏昇泰电子有限公司
3948
ONSEMI/安森美
16+
TO-220
进口原装现货供应市场最优价格假一赔十
深圳
深圳市煜荣伟业科技有限公司
24750
ONSEMI/安森美
22+
TO220AB
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