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SGW5N60RUFDTM

浏览次数:162次

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SGW5N60RUFDTM最新采购批发价格

型号 品牌 参考价格
ONSEMI/安森美
¥9.15

SGW5N60RUFDTM中文资料规格参数

SGW5N60RUFDTM概述

制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: D2PAK
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极击穿电压: 600 V
集电极—射极饱和电压: 14 V
集电极最大连续电流 Ic: 8 A
栅极—射极漏泄电流: 60 W
功率耗散: 60 W
封装: Reel

SGW5N60RUFDTM数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, D2PAK-3
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
790
FAIRCHILD/仙童
01+
TO263
深圳原装现货
深圳
291
FAIRCHILD/仙童
623
百分百原装正品假一罚佰7-10天
36530
FAIRCHILD/仙童
2011+
原装进口可假一赔十
10011
FAIRCHILD/仙童
13+
NA
优秀库存假一赔十发货7天工作日QQ价格更优惠
291
FAIRCHILD/仙童
20+
原装进口 现货库存实时更新

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