产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：SingleQuadDrainTripleSource
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：30V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：6.2A
功率耗散：1500mW
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SOIC-8Narrow
封装：Reel
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：2500

N沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.8~2.5Vth(V)；SOP8

应用简介：

SI9410BDY-T1-E3-VB广泛应用于以下领域和模块：

1. **电源管理模块**：该MOSFET适用于低电压电源管理，用于电池管理、充电和放电控制，以及功率因子校正。

2. **电机驱动**：由于其高电流承受能力，可用于电机控制，如电动汽车电机控制、工业电机驱动等。

3. **DC-DC变换器**：SI9410BDY-T1-E3-VB的低导通电阻和高效性能使其成为DC-DC变换器的理想选择，可用于电源适配器和能量转换器。

4. **电源开关**：适用于各种类型的电源开关，如电源开关模块（PSU）和逆变器。

综上所述，SI9410BDY-T1-E3-VB是一款多功能的N沟道MOSFET，适用于各种低电压、高电流的应用，为电源管理、电机控制和DC-DC变换器等模块提供高性能和可靠性的解决方案。