类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：STripFET™
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：二极管（隔离式）
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：200 毫欧 @ 1A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.5A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：600mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：4.7nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：315pF @ 15V
功率 - 最大：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽）
包装：剪切带 (CT)
供应商设备封装：*
其它名称：497-3225-1