TPD2EUSB30、TPD2EUSB30A和TPD4EUSB30是基于2通道和4通道瞬态电压抑制器（TVS)的静电放电（ESD）保护二极管阵列。TPDXEUSB30/A器件的额定ESD冲击消散值达到了IEC61000-4-2国际标准（接触式）规定的最高水平。根据IEC61000-4-5（浪涌）规范，这类器件还可提供5A（8/20us)的峰值脉冲电流额定值。

TPD2EUSB30A具有4.5V的低直流击穿电压。凭借低电容、低击穿电压和低动态电阻，TPD2EUSB30A器件可为高速差分IO提供出色的保护。

TPD2EUSB30和TPD2EUSB30A可采用节省空间的DRT（1mm×1mm)封装：TPD4EUSB30可采用节省空间的DQA（2.5mm×1.0mm)封装。

• 电容：0.8 pF

• 击穿电压：9 V

• 通道数：2

• 针脚数：3

• 钳位电压：8 V

• 测试电流：1 mA

• 脉冲峰值功率：45 W

• 最小反向击穿电压：7 V

• 工作温度(Max)：85 ℃

• 工作温度(Min)：-40 ℃

• 安装方式：Surface Mount

• 引脚数：3

• 长度：1.05 mm

• 宽度：0.85 mm

• 高度：0.45 mm

• 封装：SOT-3

• 支持USB3.0数据速率（5Gbps)

• IEC 6100042ESD保护（4级接触式）

• IEC 6100045浪滴保护

• 5A(8/20us)

• 低电容

• DRT：0.7pF（典型值）

• DQA：0.8pF（典型值）

• 动态电阻：0.6Q（典型值）

• 节省空间的DRT、DQA封装

• 直通引脚映射