类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：90 毫欧 @ 2.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：15V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.3A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：11.25nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
功率 - 最大：791mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽）
包装：管件
供应商设备封装：*
其它名称：296-3381-5