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FET数:2
漏源电压(V):-15
持续漏极电流(VGS=-10V)最大值(A):-1.700
静态漏源直流电阻 (VGS=-10V)典型值(mΩ):180
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):8SOIC/-40~85
描述:双路P沟道增强方式MOSFET

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DERF ELECTRONICS CORP.	600	TI/德州仪器	1236		只挂自己库存，纽约仓，原装正品
深圳市讯嘉电子科技有限公司	25	TI/德州仪器			深圳现货
深圳市凯胜源电子科技有限公司	165	TI/德州仪器	06+	SOP8	房间进口原装现货有接受价直说
深圳市嘉源捷电子有限公司	9	TI/德州仪器	05+	SOP8	原装现货

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