TPS1120DR中文资料PDF_TPS1120DR芯片概述/特性/原理及引脚图等信息 -

TPS1120DR

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TPS1120DR	TI/德州仪器	￥7.13

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FET数:2
漏源电压(V):-15
持续漏极电流(VGS=-10V)最大值(A):-1.700
静态漏源直流电阻 (VGS=-10V)典型值(mΩ):180
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):8SOIC/-40~85
描述:双路P沟道增强方式MOSFET

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供应商	数量	厂商	批号	封装	交易说明	仓库
深圳市雄世汇科技有限公司	270	TI/德州仪器	06+	SOP-8	原装现货假一罚十有挂就有现货
深圳市华宇骏业贸易有限公司	1934	TI/德州仪器	0614+	SOP8
深圳市杰丰盛电子科技有限公司	5000	TI/德州仪器	24+	SOP-8	欢迎洽谈合作共赢	深圳
深圳市永发微电子科技有限公司	543	YFW永发微	23+	SOP-8	LW5箱	深圳
深圳市科海伟业电子有限公司	8998	TI/德州仪器	07+	SOP	现货库存

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