UCC5390-Q1是具有10A源电流和10A灌电流峰值电流的单通道隔离式栅极驱动器，旨在驱动MOSFET，IGBT和SiC MOSFET。UCC5390-Q1的UVLO2以GND2为参考，这有助于实现双极性电源并优化SiC和IGBT的开关性能和鲁棒性。

UCC5390-Q1采用8.5毫米SOIC-8（DWV）封装，可支持高达5kV_RMS的隔离电压。输入端与输出端采用SiO₂电容隔离技术隔离，隔离栅寿命超过40年。该器件具有很高的驱动强度和真正的UVLO检测功能，非常适合在车载充电器和牵引逆变器等应用中驱动IGBT和SiC MOSFET。

与光耦合器相比，UCC5390-Q1具有较低的部件间偏斜，较低的传播延迟，较高的工作温度和较高的CMTI。

参数 与其它产品相比 隔离式栅极驱动器

1. 5kV_RMS单通道隔离式栅极驱动器

2. 符合AEC-Q100的汽车应用要求

• 温度等级1

• HBM ESD分类等级H2

• CDM ESD分类等级C6

3. 基准电压为GND2的12V UVLO

4. 8引脚DWV（8.5mm爬电距离）封装

5. 60 ns（典型值）的传播延迟

6. 传播延迟中的部分偏斜很小

7. 最低100V / ns CMTI

8. 最小峰值电流为10A

9. 3V至15V输入电源电压

10. 高达33V的驱动器电源电压

11. 输入引脚具有负5V处理能力

12. 安全相关认证：

• 符合DIN V VDE V 0884-11：2017-01的7000-V_PK隔离（DWV）（已计划）

• 5000-V_RMS（DWV）隔离等级符合UL 15771分钟

• 符合GB4943.1-2011的CQC认证

13. CMOS输入

14. 工作结温：–40°C至+ 150°C