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ZTX857STZ

浏览次数:221次

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ZTX857STZ中文资料规格参数

ZTX857STZ概述

类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):300V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 600mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 500mA, 10V
功率 - 最大:1.2W
频率 - 转换:80MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226
包装:带盒 (TB)
供应商设备封装:*

ZTX857STZ数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
Diodes Incorporated
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
20000
DIODES/美台
25+
EP3SC
10000
DIODES/美台
NA
深圳
4000
DIODES/美台
24+
N/A
原装正品接受排单定货
深圳
5000
DIODES/美台
2018+
全新原装国外现货
8000
DIODES/美台
17+
TO-92-3
可出样品/原现/云科盛
深圳

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供应商 型号 品牌 批号 封装 交易说明
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