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ZXMN10A08E6TC

浏览次数:171次

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ZXMN10A08E6TC中文资料规格参数

ZXMN10A08E6TC概述

制造商:DiodesInc.
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:SingleQuadDrain
晶体管极性:N-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):0.25Ohms
汲极/源极击穿电压:100V
闸/源击穿电压:+/-20V
漏极连续电流:1.9A
功率耗散:1.1W
最大工作温度:+150C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-6
封装:Reel
最小工作温度:-55C
StandardPackQty:10000

ZXMN10A08E6TC数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
Diodes Incorporated
PDF
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET100V N沟道增强型MOSFET
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
20000
DIODES/美台
18+
SOT26
15000
DIODES/美台
2024+PB
SOT-23-6
大量供货
深圳
86500
ZETEX
19
SOT163
特价中
120000
ZETEX
22+
SOT-23-6
优势自家实库存实单支持样片
110000
ZETEX
09+PBF
SOT23-6
华强12C115房间原装现货
深圳

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