ZXMP6A13FTA是-60V P沟道增强型MOSFET具有无光泽镀锡引线。端子可以按照 MIL-STD-202 方法 208 进行焊接。该 MOSFET 采用独特的结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，使其成为高效电源管理应用的理想选择。外壳由模制塑料 (UL94V-0) 制成。

• 旅游电压(DC)：-60.0 伏

• 旅行电流：-1.10 安

• 通道数：1

• 针脚数：3

• 漏源极点：400毫欧

• 魅力：P-通道

• 耗散功率：625 兆瓦

• 阈值电压：3伏

• 输入电容：219 pF

• 漏源极电压(Vds)：60伏

• 漏源击穿电压：60伏

• 栅源击穿电压：±20.0V

• 连续不断电流(Ids)：1.10 安

• 上升时间：2.2 纳秒

• 输入电容(Ciss)：219pF @30V(Vds)

• 攻击功率(Max)：625 兆瓦

• 下降时间：5.7 纳秒

• 工作温度(Max)：150℃

• 工作温度(Min)：-55℃

• 耗散功率(Max)：806 兆瓦

• 安装方式：表面贴装

• 面对数：3

• 封装：SOT-23-3

• 长度：3.04 毫米

• 横：1.4 毫米

• 高度：1.02 毫米

• 快速开关速度

• 低输入电容

• 低栅极电荷

• 完全无铅且完全符合RoHS标准(注释1和2)

• 无卤素和锑。“绿色”装置(注释3)

• 符合AEC-Q101高可靠性

• PPAP标准(注释4)