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摘要：安森美半导体(ON Semiconductor) 扩充N沟道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达500毫焦(mJ)的业界领先雪崩额定值，非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载引致过渡电压应力的设计。 安森美半导体这些100 V功率MOSFET器件的典型应用包括工业电机控制、电源、不间断电源(UPS)中的电源逆变器，以及汽车中的
| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ￥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ￥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ￥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ￥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ￥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ￥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ￥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ￥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ￥9.67 |