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摘要：ISSCC会议文件论述SRAM将有望使电池供电产品实现超低功耗
日前，麻省理工学院(MIT)的研究员将在著名的国际固态电路会议(ISSCC)上展示一款采用德州仪器(TI)先进65纳米CMOS工艺制造的超低功耗(ULP)256kb静态随机存取存储器(SRAM)测试器件。该款SRAM专为要求高性能、低功耗的电池供电设备开发而成，能够提供业界最低的电压，而且设计人员正在考虑为该产品采
| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ￥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ￥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ￥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ￥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ￥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ￥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ￥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ￥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ￥9.67 |