今年以来随着SSD的平均售价大幅下跌，这种快速低功耗的存储设备也随之受到更多用户的欢迎。不过近日日本厂商Buffalo开发出的MRAM缓存SSD（磁性阻抗RAM）和美光量产PCM（相变内存）代表了SSD产业除不断提高制程拼产能成本之外的另一种发展方向，《日本经济新闻》评论称一两年之内SSD产业将迎来另一次革命。

目前的主流SSD产品除闪存之外，多搭载更高速的DDR2/DDR3 DRAM作为缓存之用（部分SandForce主控产品除外）。但众所周知DRAM有着断电之后不能保存数据这一缺点，遇到突然断电时很可能导致SSD数据丢失。出现此种情况对于工业级产品的危害要远大于民用级产品：不仅是丢失数据，还可能造成主控损坏。因此目前工业级SSD会使用超级电容器使得DRAM缓存的电力供应维持数秒以将其转移至闪存中。

而MRAM就不一样，由于材料特性使用MRAM在失去电源供应时仍能存储数据，使其可以完全替代DRAM+超级电容器在工业级SSD当中的位置。另外，MRAM的最大优点为它可以根据系统状况随时切换开/关状态，使得SSD整体功耗降低20-50%。虽然也只有寥寥几瓦，不过对于使用SSD作为主要存储方案的机器就相当于可观的续航时间。

目前MRAM材料的主要缺点为制造成本仍然十分高昂，主要面向工业级产品。但其改进型STT-MRAM和NAND闪存一样可以通过提高制程牺牲一些寿命换取成本下降，《日本经济新闻》预计2013年下半年民用市场可普及使用MRAM作为缓存的SSD。学术界对于MRAM在CPU中充当缓存的想法也在探讨之中。

除此之外SSD中的NAND闪存未来也将被逐渐代替，这些新的RAM芯片均具有断电不丢失数据的特性，成本也低于上面的MRAM：要么速度远高于闪存（ReRAM的写入速度可达NAND闪存一万倍），要么在速度稍高的情况下耐久度和SLC闪存相当（PCM相变内存），同时写入时的功耗平均只有目前SSD产品的1/300。

结合以上观点，《日本经济新闻》认为，1-2年之内SSD产业的进展值得每一个用户去关注。

Buffalo于5月展示的MRAM缓存SSD样品

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