东芝开发出了用于EUV(Extreme Ultraviolet)曝光的负型低分子光刻胶(Resist),并公布了对线宽/线间隔(L/S)为22nm的图案进行解像的成果.在低分子类光刻胶弱项的刻线边缘粗糙度(Line Edge Roughness,LER)和耐蚀刻性能(Etching Resistance)方面,新材料表现出了高于普通高分子型光刻胶的特性.

东芝计划将EUV曝光用于NAND型闪存的量产中.估计量产开始时间在2012年以后.该公司设想今后进一步提高开发出的光刻胶的特性,量产时将接受光刻胶厂商的供应.东芝预定11月19日在纳米技术相关国际会议"MNC 2009(22nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference)"(11月17～19日举行)上,发布此次技术的详细内容.

开发要点提到了以下两点:(1)新的低分子材料,(2)以适合的比例构成低分子材料与感光剂等.

(1)中的低分子材料是拥有分子尺寸较小、原子紧密结合成星形的刚硬结构的三聚茚(Truxene).该公司确立了专门将三聚茚用作光刻胶材料的基本分子设计,已经证实可利用正型光刻胶形成L/S为50nm的图案.此次,采用以该三聚茚为基础设计的"三聚茚衍生物",开发出了可适用于 20nm～29nm图案的负型光刻胶.

(2)在三聚茚衍生物和交联剂的含有比例以3比1构成时,负型光刻胶的特性得到优化.交联剂是分子结合所需的材料,包括受到光照射后促进光刻胶反应的光酸产生剂(PAG:Photo Acid Generator).

以往的高分子型光刻胶存在30nm以下难以实现细微化的问题.原因是分子尺寸较大,分子链容易缠绕在一起形成较大的块状.在通过EUV曝光形成的 20nm～29nm的图案中,线宽粗糙度(LWR:Line Width Roughness)为3σ、2nm多.这是由于此处不能忽视达到数十nm的高分子颗粒的尺寸.